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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPP034NE7N3G
IPP034NE7N3G PDF预览

IPP034NE7N3G

更新时间： 2024-09-15 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 462K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

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IPP034NE7N3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：640 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：214 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP034NE7N3G 数据手册

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IPP034NE7N3 G  
IPI034NE7N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
75  
3.4  
100  
V
• Optimized technology for synchronous rectification  
• Ideal for high frequency switching and DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance RDS(on)  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant, halogen free  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
Type  
IPP034NE7N3 G  
IPI034NE7N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
034NE7N  
PG-TO262-3  
034NE7N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
100  
100  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
Avalanche energy, single pulse3)  
I D=74 A, R GS=25 Ω  
640  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
214  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3 for more detailed information  
3) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.01  
page 1  
2009-11-11  
1234567...10

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IPP034NE7N3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI034NE7N3G INFINEON

功能相似

 OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

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