Datasheet > IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

更新时间： 2024-10-31 11:13:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1056K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 2.6 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP026N10NF2S 数据手册

IPP026N10NF2S

MOSFET

StrongIRFET^TMꢀ2ꢀPower-Transistor

PG-TO220-3

tab

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀaꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications

•ꢀN-Channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

2.6

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Source

Pin 3

184

131

103

Q_oss

Q_G

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPP026N10NF2S

PG-TO220-3

026N10NS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-06-15

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IPP026N10NF2S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP027N08N5	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
IPP028N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPP028N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS®3 Power-Transistor Features Excellent
IPP028N08N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP029N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPP030N06NF2S	INFINEON	获取价格	英飞凌 StrongIRFET™ 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 3.05 m
IPP030N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPP030N10N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPP030N10N3GXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP030N10N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M