是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.67 |
雪崩能效等级(Eas): | 634 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 120 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0024 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP024N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 2.4 mOhm, addressing a | |
IPP026N04NF2S | INFINEON |
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英飞凌 StrongIRFET? 2 40 V 功率 MOSFET 具备仅为?2.6 mΩ | |
IPP026N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V | |
IPP027N08N5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi | |
IPP028N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
IPP028N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS®3 Power-Transistor Features Excellent | |
IPP028N08N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPP029N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V | |
IPP030N06NF2S | INFINEON |
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英飞凌 StrongIRFET™ 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 3.05 m | |
IPP030N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |