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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 979 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP023NE7N3 G | INFINEON |
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75V OptiMOS?技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具 |
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| IPP023NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP024N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
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| IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP024N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 2.4 mOhm, addressing a |
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| IPP026N04NF2S | INFINEON |
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英飞凌 StrongIRFET? 2 40 V 功率 MOSFET 具备仅为?2.6 mΩ |
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| IPP026N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
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| IPP027N08N5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| IPP028N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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