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IPP023N10N5AKSA1

更新时间： 2024-09-13 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1648K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP023N10N5AKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.69
雪崩能效等级（Eas）：979 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP023N10N5AKSA1 数据手册

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IPP023N10N5  
MOSFET  
OptiMOSª5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
TO-220-3  
tab  
Features  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀOptimizedꢀforꢀFOMOSS  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Drain  
Pin 2, Tab  
Parameter  
Value  
Unit  
VDS  
100  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on),max  
ID  
2.3  
mΩ  
A
120  
Source  
Pin 3  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPP023N10N5  
PG-TO220-3  
023N10N5  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2016-09-23  
1234567...11

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