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IPG20N04S4L08AATMA1

更新时间： 2024-11-20 21:18:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 251K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N04S4L08AATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.73
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：145 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0082 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPG20N04S4L08AATMA1 数据手册

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IPG20N04S4L-08A  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
8.2  
20  
V
4)  
RDS(on),max  
mW  
A
ID  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-10  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N04S4L-08A  
PG-TDSON-8-10  
4N04L08  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active  
T C=25 °C, V GS=10 V1)  
I D  
20  
20  
80  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
-
Avalanche energy, single pulse2, 4)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
E AS  
I AS  
I D=10A  
145  
15  
mJ  
A
-
V GS  
-
±16  
V
Power dissipation  
one channel active  
P tot  
T C=25 °C  
54  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2015-09-16  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPG20N04S4L-11 INFINEON

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 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPG20N04S4L-11A INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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