5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPG20N04S4L-11A
IPG20N04S4L-11A PDF预览

IPG20N04S4L-11A

更新时间： 2024-11-05 21:11:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8-10, 8 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPG20N04S4L-11A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0116 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPG20N04S4L-11A 数据手册

 浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPG20N04S4L-11A的Datasheet PDF文件第7页 
IPG20N04S4L-11A  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
11.6  
20  
V
4)  
RDS(on),max  
mΩ  
A
ID  
Features  
• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode  
PG-TDSON-8-10  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Feasible for automatic optical inspection (AOI)  
Type  
Package  
Marking  
IPG20N04S4L-11A  
PG-TDSON-8-10  
4N04L11  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current  
one channel active  
T C=25 °C, VGS=10 V1)  
I D  
20  
20  
80  
A
T C=100 °C,  
V
-
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
one channel active  
I D,pulse  
Avalanche energy, single pulse2, 4)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
EAS  
I AS  
I D=10A  
80  
15  
mJ  
A
-
VGS  
-
±16  
V
Power dissipation  
one channel active  
Ptot  
T C=25 °C  
41  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2013-02-28  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPG20N04S4L-11A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPG20N06S2L-35 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPG20N06S2L-35A INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPG20N06S2L-50 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPG20N06S2L-50A INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IPG20N06S2L-65 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPG20N06S2L-65A INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPG20N06S2L65ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IPG20N04S4L-11A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证