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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.7 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0116 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N04S4L11ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N06S2L-35 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPG20N06S2L-35A | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPG20N06S2L35ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPG20N06S2L-50 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPG20N06S2L-50A | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IPG20N06S2L-65 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPG20N06S2L-65A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPG20N06S2L65ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPG20N06S2L65AUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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