5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.7 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0116 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N04S4L11ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPG20N06S2L-35 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPG20N06S2L-35A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPG20N06S2L35ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPG20N06S2L-50 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPG20N06S2L-50A | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IPG20N06S2L-65 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPG20N06S2L-65A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPG20N06S2L65ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPG20N06S2L65AUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
