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IPB017N06N3GATMA1

更新时间： 2024-11-24 20:02:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	662K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-7

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IPB017N06N3GATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	针数：	7
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	2.23
雪崩能效等级（Eas）：	634 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.0017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB017N06N3GATMA1 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB017N08N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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IPB017N10N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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