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IPB021N06N3G

更新时间： 2024-11-20 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	479K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

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IPB021N06N3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
雪崩能效等级（Eas）：	634 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB021N06N3G 数据手册

Type

IPB021N06N3 G IPI024N06N3 G

IPP024N06N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

2.1

120

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R_DS(on)

R _{DS(on),max (SMD)}

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB021N06N3 G

IPI024N06N3 G

IPP024N06N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

021N06N

PG-TO262-3

024N06N

PG-TO220-3

024N06N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

120

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

480

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

634

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

250

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 175

55/175/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Current is limited by bondwire; with anR _thJC=0.6 K/W the chip is able to carry 256A.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2009-12-11

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB021N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB022N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB022N04LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB022N12NM6	INFINEON	获取价格	This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK
IPB023N04NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f
IPB023N04NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB023N04NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB023N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB023N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB024N08N5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO

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