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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 1.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB026N06NATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB026N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
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| IPB027N10N3 | INFINEON |
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3 Power-Transistor |
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| IPB027N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPB027N10N3 G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IPB027N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB027N10N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
3 Power-Transistor |
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| IPB027N10N3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB027N10N5 | INFINEON |
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OptiMOSª 5 Power-Transistor, 100 V |
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| IPB027N10N5_16 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSª 5 Power-Transistor, 100 V |
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