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IPB034N06N3G

更新时间： 2024-09-15 11:08:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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9页	677K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPB034N06N3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	149 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0034 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB034N06N3G 数据手册

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IPB034N06N3 G

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Product Summary

Features

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Type

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Package

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Parameter

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IPB034N06N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB034N06L3GATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD034N06N3G	INFINEON	类似代替	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPB037N06N3G	INFINEON	类似代替	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.

与IPB034N06N3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB034N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB035N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPB035N12NM6	INFINEON	获取价格	This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK
IPB036N12N3 G	INFINEON	获取价格	120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实
IPB036N12N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB036N12N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 120V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB037N06N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPB037N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync.
IPB037N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB037N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor

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