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IPB034N06L3GATMA1

更新时间: 2024-09-14 14:51:35
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 995K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB034N06L3GATMA1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:10 weeks 5 days风险等级:1.67
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):165 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A最大漏极电流 (ID):90 A
最大漏源导通电阻:0.0034 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB034N06L3GATMA1 数据手册

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IPB034N06L3 G IPI037N06L3 G  
IPP037N06L3 G  
"%&$!"#3 Power-Transistor  
Product Summary  
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Features  
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Type  
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Package  
Marking  
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F=%JE%*.*%+  
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F=%JE%**(%+  
(+/D(.B  
Maximum ratings, 2 E T W   Uꢂ  F? =6DD @E96CH:D6 DA64:7:65  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
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