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IPB034N06N3GATMA1

更新时间： 2024-11-05 15:45:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	676K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-7

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IPB034N06N3GATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	149 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0034 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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IPB034N06N3 G

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Product Summary

Features

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Type

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IPB034N06N3GATMA1 替代型号

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IPB036N12N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 120V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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