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IPB035N12NM6

更新时间： 2024-10-15 17:15:35

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1163K
描述
This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK 3-pin?packaging with 3.5 mOhm on-resistance.? IPB035N12NM6 is part of Infineon’s?OptiMOS? 6 power MOSFET family.

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IPB035N12NM6 数据手册

IPB035N12NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

D²PAK

Features

tab

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀHighꢀavalancheꢀenergyꢀrating

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀMSLꢀ1ꢀclassifiedꢀaccordingꢀtoꢀJ-STD-020

Drain

Pin 2, Tab

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

120

3.5

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

138

137

Q_oss

Q_Gꢀ(0V...10V)

Q_rr(1000A/µs)

263

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB035N12NM6

PG-TO263-3

035N12N6

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2023-12-22

12 3 4 5 6 7...11

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