型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB030N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB030N08N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB031N08N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO | |
IPB031NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
IPB031NE7N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB032N10N5 | INFINEON |
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英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPB032N10N5专为通信模块中 | |
IPB033N10N5LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R | |
IPB034N03LG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor | |
IPB034N06L3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB034N06L3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |