是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 1.67 |
雪崩能效等级(Eas): | 235 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0032 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB029N06N3GE8187ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB029N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f | |
IPB030N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
IPB030N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB030N08N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB031N08N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO | |
IPB031NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
IPB031NE7N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB032N10N5 | INFINEON |
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英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPB032N10N5专为通信模块中 | |
IPB033N10N5LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R |