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IPB027N10N3 G

更新时间： 2024-11-25 17:15:47

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
9页	514K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:120A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:2.7mΩ@10V

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IPB027N10N3 G 数据手册

027N10N3

UMW

100 V N-Channel

MOSFET

Features

Excellent gate charge x R( on ) product ( FOM )

Very low on-resistance RDS ( on )

•

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

•

TO- 263

V_DS(V) =100V

•

I_D=120A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)<2.7mΩ (V _GS=10V)

MOSFET Maximum Ratings T_j= 25°C unless otherwise specified

Conditions

Parameter

Symbol

Value

Unit

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www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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