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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0029 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 167 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB022N04LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB022N12NM6 | INFINEON |
获取价格 |
This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK |
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| IPB023N04NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f |
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| IPB023N04NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB023N04NGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB023N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
|
| IPB023N06N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB024N08N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO |
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| IPB024N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f |
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| IPB024N10N5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPB024N10N5专为通信模块中 |
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