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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 140 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 560 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB017N06N3 G | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB024N08N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO |
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| IPB024N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f |
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| IPB024N10N5 | INFINEON |
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英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFET IPB024N10N5专为通信模块中 |
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| IPB025N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| IPB025N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-transistor |
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| IPB025N08N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB025N10N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPB025N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB025N10N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB026N06N | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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