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IPB022N12NM6

更新时间： 2024-11-21 17:01:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1143K
描述
This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK 3-pin packaging with 2.2 mOhm on-resistance. IPB022N12NM6 is part of Infineon’s?OptiMOS? 6 power MOSFET family.

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IPB022N12NM6 数据手册

IPB022N12NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

D²PAK

Features

tab

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀHighꢀavalancheꢀenergyꢀrating

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀMSLꢀ1ꢀclassifiedꢀaccordingꢀtoꢀJ-STD-020

Drain

Pin 2, Tab

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

120

R_DS(on),max

I_D

2.2

mΩ

167

Q_oss

267

Q_Gꢀ(0V...10V)

Q_rrꢀ(1000A/µs)

113

418.2

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IPB022N12NM6

PG-TO263-3

022N12N6

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2023-10-12

12 3 4 5 6 7...11

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