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IPB021N06N3GATMA1

更新时间： 2024-11-25 08:05:35

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1001K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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与IPB021N06N3GATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB022N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB022N04LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB022N12NM6	INFINEON	获取价格	This is a normal level 120 V MOSFET in?D2PAK
IPB023N04NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f
IPB023N04NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB023N04NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB023N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB023N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB024N08N5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO
IPB024N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f

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