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IPB020N08N5

更新时间： 2024-10-14 20:41:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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IPB020N08N5 技术参数

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^ªꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV

IPB020N08N5

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB020N10N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB020N10N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB020N10N5LF	INFINEON	获取价格	OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB020N10N5LFATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB020NE7N3 G	INFINEON	获取价格	75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具
IPB020NE7N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor
IPB020NE7N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB021N04N	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB021N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for
IPB021N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M