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IPB021N04N

更新时间： 2024-11-20 21:22:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 216K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-263, 7 PIN

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IPB021N04N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：898 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：160 A
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.0021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB021N04N 数据手册

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IPB021N04N  
OptiMOS™2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
2.1  
160  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• For sync. rectification, or-ing and motor control  
• Halogen-free accordig to IEC61249-2-21  
PG-TO263-7  
Type  
Package  
Marking  
IPB021N04N  
PG-TO263-7  
21N04N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
160  
157  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
640  
I D=80 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
898  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
214  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1.1  
page 1  
2009-12-11  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB021N06N3G INFINEON

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 		OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for
IPB021N06N3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB022N04LG INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPB022N04LGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB022N12NM6 INFINEON

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