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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.24 |
| Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 | 雪崩能效等级（Eas）： | 979 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB020N10N5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB020N10N5LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R |
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| IPB020N10N5LFATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB020NE7N3 G | INFINEON |
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75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具 |
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| IPB020NE7N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPB020NE7N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB021N04N | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB021N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for |
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| IPB021N06N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB022N04LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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