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IPB020N04NG

更新时间： 2024-10-14 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 518K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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IPB020N04NG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：140 A最大漏极电流 (ID)：140 A
最大漏源导通电阻：0.002 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：980 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IPB020N04NG 数据手册

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与IPB020N04NG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB020N08N5 INFINEON

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