Datasheet > IPB017N08N5

IPB017N08N5

更新时间： 2024-11-24 19:49:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1187K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB017N08N5 技术参数

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^ª5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV

IPB017N08N5

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.1

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB017N08N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB017N10N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB017N10N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB017N10N5LF	INFINEON	获取价格	OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB017N10N5LFATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB018N06NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f
IPB018N10N5	INFINEON	获取价格	The IPB018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe
IPB019N06L3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPB019N06L3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB019N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源