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IPB018N06NF2S

更新时间： 2024-11-21 11:16:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1046K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.8 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

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IPB018N06NF2S 数据手册

IPB018N06NF2S

MOSFET

StrongIRFET^TM2ꢀPower-Transistor

D²PAK

Features

tab

•ꢀOptimizedꢀforꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

R_DS(on),max

I_D

1.8

mΩ

Source

Pin 3

187

108

Q_oss

Q_Gꢀ(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB018N06NF2S

PG-TO263-3

018N06NS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-10-19

12 3 4 5 6 7...11

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