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IPB018N10N5

更新时间： 2024-11-21 11:14:11

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1144K
描述
The IPB018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 power MOSFET 1.8 mOhm, 100 V in the industry standard D²PAK package for surface mount assembly. OptiMOS™ 5 power MOSFET in D²PAK targets light electric vehicles and battery management systems.

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IPB018N10N5 数据手册

IPB018N10N5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

D²PAK

Features

tab

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsync.ꢀrec.

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀOptimizedꢀforꢀFOM_OSS

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 1

Parameter

Value

Unit

Source

Pin 3

V_DS

100

R_DS(on),max

I_D

1.83

176

mΩ

Q_oss

213

Q_G

168

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB018N10N5

PG-TO263-3

018N10N5

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-03-28

12 3 4 5 6 7...11

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