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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 634 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0019 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFS7530PBF | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS7530TRLPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDB024N06 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4m |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB019N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| IPB019N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-transistor |
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| IPB019N08N3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB019N08N5 | INFINEON |
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与前几代产品相比，英飞凌OptiMOS™5 80V工业功率MOSFETIPB019N08N |
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| IPB019N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a |
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| IPB020N04NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPB020N08N5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB020N10N5 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB020N10N5ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB020N10N5LF | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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