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IPB019N08N3G PDF预览

IPB019N08N3G

更新时间： 2024-11-24 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 691K
描述
OptiMOS3 Power-transistor

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IPB019N08N3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.24Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1430 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A最大漏极电流 (ID)：180 A
最大漏源导通电阻：0.0019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB019N08N3G 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB019N08N3GXT INFINEON

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