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IPB019N08N3GXT

更新时间： 2024-11-20 12:59:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
9页	691K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-263, 7 PIN

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IPB019N08N3GXT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1430 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.0019 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB019N08N3GXT 数据手册

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