是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.26 |
雪崩能效等级(Eas): | 979 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 180 A | 最大漏极电流 (ID): | 180 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0017 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 313 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 720 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB017N10N5LFATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB018N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f | |
IPB018N10N5 | INFINEON |
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The IPB018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe | |
IPB019N06L3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 | |
IPB019N06L3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPB019N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
IPB019N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-transistor | |
IPB019N08N3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB019N08N5 | INFINEON |
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与前几代产品相比,英飞凌OptiMOS™5 80V工业功率MOSFETIPB019N08N | |
IPB019N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a |