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IPB017N10N5LF

更新时间: 2024-11-21 11:15:51
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英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1000K
描述
OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R DS(on) )和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS(on)以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。

IPB017N10N5LF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:2.26
雪崩能效等级(Eas):979 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A最大漏极电流 (ID):180 A
最大漏源导通电阻:0.0017 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263JESD-30 代码:R-PSSO-G6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):313 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB017N10N5LF 数据手册

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IPB017N10N5LF  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀ5ꢀLinearꢀFET,ꢀ100ꢀV  
D²-PAKꢀ7pin  
Features  
•ꢀIdealꢀforꢀhot-swapꢀandꢀe-fuseꢀapplications  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀꢀRDS(on)  
tab  
•ꢀWideꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀSOA  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
1
•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
7
Drain  
Pin 4, tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
VDS  
100  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on),max  
ID  
1.7  
m  
A
Source  
Pin 2,3,5,6,7  
256  
Ipulseꢀ(VDS=56ꢀV,ꢀtp=10  
ms)  
10.2  
A
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
017N10LF  
RelatedꢀLinks  
IPB017N10N5LF  
PG-TO263-7  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2022-09-09  

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