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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 979 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 180 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB017N10N5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB017N10N5LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R |
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| IPB017N10N5LFATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB018N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f |
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| IPB018N10N5 | INFINEON |
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The IPB018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe |
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| IPB019N06L3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPB019N06L3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPB019N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| IPB019N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-transistor |
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| IPB019N08N3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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