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GT50G102

更新时间: 2024-01-26 10:36:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网双极性晶体管开关功率控制
页数 文件大小 规格书
15页 572K
描述
TRANSISTOR 50 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

GT50G102 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:2-16C1C, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1800 ns
标称接通时间 (ton):400 nsBase Number Matches:1

GT50G102 数据手册

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