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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 130 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 400 ns | 标称接通时间 (ton)： | 300 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT50J322_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT |
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| GT50J325 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT50J325_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT50J327 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Current Resonance Inverte |
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| GT50J328 | TOSHIBA |
获取价格 |
Current Resonance Inverter Switching Application Fourth Generation IGBT |
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| GT50J341 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, 2-16C1S, TO-3P(N), 3 PIN, Insulate |
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| GT50J341,Q | TOSHIBA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| GT50J342 | TOSHIBA |
获取价格 |
EOL announced |
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| GT50JR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
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| GT50JR22 | TOSHIBA |
获取价格 |
600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
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