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GT50N324

更新时间： 2024-09-24 01:19:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
73页	1582K
描述
Bipolar Small-Signal Transistors

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GT50N324 技术参数

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Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors

Radio-Frequency Small-Signal FETs

Radio-Frequency Power MOSFETs

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Phototransistors (for Optical Sensors)

2010/9ꢀSCE0004K

12 3 4 5 6 7...73

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GT50NR21	TOSHIBA	获取价格	1050 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N)
GT50PI120T5H-M	SILVERMICRO	获取价格	PIM IGBT-1200V
GT50PI120T5H-T4M	SILVERMICRO	获取价格	PIM IGBT-1200V
GT50PI120T6H-M	SILVERMICRO	获取价格	PIM IGBT-1200V
GT50PI120T6H-T4M	SILVERMICRO	获取价格	PIM IGBT-1200V
GT50Q101	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
GT50S101	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 50 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-37A1B, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
GT50SD120B5H	SILVERMICRO	获取价格	IGBT Single-1200V
GT516NS	ETC	获取价格	Mini size of Discrete semiconductor elements
GT5-1P/S-CSB	HRS	获取价格	USCAR specified connector as SAE/USCAR-19