5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> GT50J325
GT50J325 PDF预览

GT50J325

更新时间： 2024-11-20 03:40:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 199K
描述
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

GT50J325 数据手册

 浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GT50J325的Datasheet PDF文件第7页 
GT50J325  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT50J325  
High Power Switching Applications  
Unit: mm  
Fast Switching Applications  
•
•
•
Fourth generation IGBT  
Enhancement mode type  
Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)  
• High speed: t = 0.05 μs (typ.)  
f
• Low switching loss: E = 1.30 mJ (typ.)  
on  
: E = 1.34 mJ (typ.)  
off  
•
•
Low saturation Voltage: V  
= 2.0 V (typ.)  
CE (sat)  
FRD included between emitter and collector  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
600  
±20  
50  
V
V
CES  
GES  
DC  
I
C
Collector current  
A
JEDEC  
―
―
1 ms  
DC  
I
100  
50  
CP  
I
F
Emitter-collector forward  
current  
JEITA  
A
1 ms  
I
100  
FM  
TOSHIBA  
Weight: 9.75 g  
2-21F2C  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
P
240  
W
C
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance (IGBT)  
Thermal resistance (diode)  
R
R
0.521  
2.30  
°C/W  
°C/W  
th (j-c)  
th (j-c)  
Equivalent Circuit  
Marking  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
Collector  
TOSHIBA  
GT50J325  
Gate  
JAPAN  
A line indicates  
Emitter  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
1
2006-11-01  
1234567

中文翻译

下载PDF

GT50J325 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GT50J102 TOSHIBA

类似代替

 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

与GT50J325相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT50J325_06 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
GT50J327 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Current Resonance Inverte
GT50J328 TOSHIBA

获取价格

 		Current Resonance Inverter Switching Application Fourth Generation IGBT
GT50J341 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, 2-16C1S, TO-3P(N), 3 PIN, Insulate
GT50J341,Q TOSHIBA

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
GT50J342 TOSHIBA

获取价格

 		EOL announced
GT50JR21 TOSHIBA

获取价格

 		600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N)
GT50JR22 TOSHIBA

获取价格

 		600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N)
GT50MR21 TOSHIBA

获取价格

 		Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
GT50N321 TOSHIBA

获取价格

 		Bipolar Small-Signal Transistors

与GT50J325相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证