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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 170 ns | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 300 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT50J341 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT, 2-16C1S, TO-3P(N), 3 PIN, Insulate |
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| GT50J341,Q | TOSHIBA |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| GT50J342 | TOSHIBA |
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EOL announced |
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| GT50JR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
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| GT50JR22 | TOSHIBA |
获取价格 |
600 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
|
| GT50MR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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| GT50N321 | TOSHIBA |
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Bipolar Small-Signal Transistors |
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| GT50N322A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Tra |
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| GT50N324 | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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| GT50NR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
1050 V/50 A IGBT, Built-in Diodes, TO-3P(N) |
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