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GT50N322A

更新时间： 2024-09-23 19:56:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网栅双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
TRANSISTOR 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT50N322A 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.7
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1000 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：700 ns标称接通时间 (ton)：330 ns
Base Number Matches：1

GT50N322A 数据手册

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GT50N322A  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT50N322A  
Voltage Resonance Inverter Switching Application  
Unit: mm  
Fifth Generation IGBT  
•
•
•
FRD included between emitter and collector  
Enhancement mode type  
High speed IGBT : t = 0.10 μs (typ.) (I = 60 A)  
f
C
FRD : t = 0.8 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs)  
rr  
•
Low saturation voltage: V  
= 2.2 V (typ.) (I = 60 A)  
CE (sat) C  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1000  
± 25  
50  
V
V
CES  
GES  
DC  
1ms  
DC  
I
C
Collector current  
A
I
120  
15  
CP  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
I
F
Diode forward current  
A
1ms  
I
120  
FP  
TOSHIBA  
2-16C1C  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
P
156  
W
C
Weight: 4.6 g (typ.)  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Equivalent Circuit  
Marking  
Collector  
TOSHIBA  
Gate  
50N322A  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
Emitter  
1
2008-01-11  
123456

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