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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PL |
| 包装说明： | TO-3PL, 3 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 350 ns |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT50J102 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT50J121 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT50J121_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT50J122 | TOSHIBA |
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Current Resonance Inverter Switching Application |
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| GT50J123 | TOSHIBA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| GT50J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT50J322 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (THE 4TH CENERATION CURRENT RESONACE INVERTER SWITHCING APPLICATIONS) |
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| GT50J322_06 | TOSHIBA |
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SILICON N CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT |
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| GT50J325 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT50J325_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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