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GT50J121

更新时间： 2024-09-22 22:48:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
6页	320K
描述
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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GT50J121 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.23	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	240 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	240 ns	Base Number Matches：	1

GT50J121 数据手册

GT50J121

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT50J121

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

Unit: mm

•

The 4^thgeneration

Enhancement-mode

Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

• High speed: t = 0.05 µs (typ.)

• Low switching loss: E = 1.30 mJ (typ.)

: E = 1.34 mJ (typ.)

off

•

Low saturation Voltage: V = 2.0 V (typ.)

CE (sat)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

CES

GES

Collector current

1 ms

JEDEC

―

100

JEITA

Collector power dissipation

240

TOSHIBA

Weight: 9.75 g

2-21F2C

(Tc = 25°C)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance

0.521

°C/W

th (j-c)

2002-03-18

12 3 4 5 6

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