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GT50G321

更新时间: 2024-01-26 20:33:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 288K
描述
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

GT50G321 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.24其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):400 ns门极-发射极最大电压:25 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):130 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):540 ns标称接通时间 (ton):430 ns
Base Number Matches:1

GT50G321 数据手册

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