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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 640 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 31 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 31 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 124 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFS31N20DTRLP | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS31N20DPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
|
| IRFS23N20DPBF | INFINEON |
功能相似 |
SMPS MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB34N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQB34N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，31 A，80 mΩ，D2 |
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| FQB34N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQB34N20TM_AM002 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQB34N20TM-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，31 A，75 mΩ，D2PAK |
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| FQB34P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQB34P10_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET MOSFET |
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| FQB34P10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQB34P10TM | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 QFET® MOSFET -100V，-33.5A，60mΩ |
|
| FQB34P10TM-F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
-33.5A, -100V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = -10 V |
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