是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级(Eas): | 955 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A |
最大漏极电流 (ID): | 28 A | 最大漏源导通电阻: | 0.082 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 156 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB30NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247 | |
STB19NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK | |
NTE2376 | NTE |
功能相似 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQB33N10_04 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET | |
FQB33N10_13 | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET MOSFET | |
FQB33N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQB33N10LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,100 V,33 A,52 mΩ,D2 | |
FQB33N10TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,33 A,52 mΩ,D2PAK | |
FQB34N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQB34N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQB34N20LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,31 A,80 mΩ,D2 | |
FQB34N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
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