NTE2376

更新时间： 2024-10-31 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	32K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2376 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	410 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2376 数据手册

NTE2376

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Repetitive Avalanche Rated

D Isolated Central Mounting Hole

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Drain Current (V_GS= 10V), I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19A

Pulsed Drain Current (Note 1), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190W

Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W/°C

Gate–to–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410mJ

Avalanche Current (Note 1), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque (6–32 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfꢀ in (1.1Nꢀ m)

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, Greased Surface), R_thCS. . . . . . . . . . . 0.24°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. V_DD= 50V, starting T_J= +25°C, L = 683µH, R_G= 25Ω, I_AS= 30A

Note 3. I_SD≤ 30A, di/dt ≤ 190A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +150°C

12 3

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NTE2376 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQB32N20CTM	FAIRCHILD	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFP250PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与NTE2376相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2377	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode, High Speed
NTE2378	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2379	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE238	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Color TV, Horizontal Output
NTE2380	NTE	获取价格	Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2381	NTE	获取价格	Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2382	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)
NTE2383	NTE	获取价格	MOSFET P-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
NTE2384	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2385	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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