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FGH75N60SFTU PDF预览

FGH75N60SFTU

更新时间： 2024-01-17 00:46:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 682K
描述
600V, 75A Field Stop IGBT

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FGH75N60SFTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.78
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：150 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：60 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：452 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：159 ns标称接通时间 (ton)：87 ns
Base Number Matches：1

FGH75N60SFTU 数据手册

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December 2008  
FGH75N60SF  
tm  
600V, 75A Field Stop IGBT  
Features  
General Description  
•
•
•
•
•
High Current Capability  
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.3V @ IC = 75A  
High Input Impedance  
Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new ses-  
ries of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for  
Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where  
low conduction and switching losses are essential.  
Fast Switching  
RoHS Compliant  
Applications  
•
Induction Heating, UPS, SMPS, PFC  
E
C
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
600  
Units  
VCES  
VGES  
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
V
V
A
A
A
± 20  
@ TC = 25oC  
@ TC = 100oC  
150  
IC  
ICM (1)  
PD  
Collector Current  
75  
@ TC = 25oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 100oC  
Pulsed Collector Current  
225  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
452  
W
W
oC  
oC  
181  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
Tstg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
oC  
TL  
300  
Notes:  
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC(IGBT)  
RθJA  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Typ.  
Max.  
0.276  
40  
Units  
oC/W  
oC/W  
-
-
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGH75N60SF Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FGH75N60SFTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGH75N60UF FAIRCHILD

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 		600V, 75A Field Stop IGBT
FGH75N60UFTU FAIRCHILD

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 		600V, 75A Field Stop IGBT
FGH75N60UFTU ONSEMI

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 		IGBT，600V，75A，场截止
FGH75T65SHD-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650V，75A 场截止沟槽
FGH75T65SHDT-F155 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650V，75A 场截止沟槽
FGH75T65SHDTL4 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650V，75A 场截止沟槽
FGH75T65SQD-F155 ONSEMI

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 		650 V、75 A 场截止沟道 IGBT
FGH75T65SQDNL4 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，场截止 IV/4 引线
FGH75T65SQDT ONSEMI

获取价格

 		http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF
FGH75T65SQDT_F155 ONSEMI

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 		http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF

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