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FGH75T65SHD-F155

更新时间： 2023-09-03 20:29:21

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	992K
描述
IGBT，650V，75A 场截止沟槽

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FGH75T65SHD-F155 数据手册

FGH75T65SHD

650 V, 75 A 场截止沟槽 IGBT

特性

概述

ON Semiconductor 场截止第三代 IGBT 新系列采用创新型场截

•

最大结温：T_J=175°C

正温度系数，易于并联运行

高电流能力

止

IGBT 技术，为光伏逆变器、 UPS、焊机、通讯、 ESS 和

PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

低饱和电压：V_CE(sat)=1.6 V( 典型值 )@ I_C= 75 A

器件 100% 经过 I_LM(1) 测试

高输入阻抗

应用

•

太阳能逆变器、 UPS、电焊机、电信、 ESS 、 PFC

快速开关

紧密的参数分布

符合 RoHS 标准

TO-247

长引脚

绝对最大额定值 T_C= 25°C 除非另有说明

符号描述

FGH75T65SHD-F155

单位

V_CES

650

± 20

± 30

150

集电极－发射极之间电压

栅极－发射极间电压

瞬态栅极－发射极间电压

集电极电流

V_GES

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

@ T_C= 25°C

I_C

集电极电流

I_{LM (1)}

I_{CM (2)}

225

集电极脉冲电流

二极管正向电流

二极管最大正向脉冲电流

最大功耗

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

I_F

I_{FM (2)}

P_D

225

455

227

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

°C

最大功耗

T_J

工作结温

-55 至 +175

300

T_stg

T_L

存储温度范围

用于焊接的最大引脚温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒

注：

1. V = 400 V, V = 15 V, I = 225 A, R = 20 Ω, 电感负载

2. 重复额定值：脉宽受最大结温限制

Publication Order Number:

FGH75T65SHDCN/D

December-2017, Rev. 3

12 3 4 5 6 7...9

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