是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Not Recommended |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 5.2 | 最大集电极电流 (IC): | 150 A |
集电极-发射极最大电压: | 650 V | 最大降落时间(tf): | 33 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 7.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-609代码: | e3 | 最高工作温度: | 175 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 375 W | 最大上升时间(tr): | 56 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGH75T65UPD-F085 | ONSEMI |
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650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT |
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FGH75T65UPD-F155 | ONSEMI |
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650V, 75A,场截止沟道IGBT |
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FGH80N60FD | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2 | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2TU | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2TU | ONSEMI |
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IGBT,600V,场截止 |
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FGH80N60FDTU | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FDTU | ONSEMI |
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IGBT,600V,场截止 |
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FGHL40S65UQ | ONSEMI |
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IGBT,650 V,40A,场截止沟槽 |
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FGHL40T120SWD | ONSEMI |
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1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging |
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