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FGHL75T65MQDTL4

更新时间： 2023-09-03 20:38:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 235K
描述
IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode

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FGHL75T65MQDTL4 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Field Stop Trench IGBT  
650 V, 75 A  
75 A, 650 V  
CESat = 1.45 V  
V
FGHL75T65MQDTL4  
C
th  
Field stop 4 generation mid speed IGBT technology Full current  
rated copack Diode technology.  
E1: Kelvin Emitter  
E2: Power Emitter  
Features  
G
• Maximum Junction Temperature: T = 175°C  
J
E1  
E2  
• Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating  
• High Current Capability  
• Low Saturation Voltage: V  
= 1.45 V (Typ.) @ I = 75 A  
C
• 100% of the Parts are Tested for I (Note 2)  
CE(Sat)  
LM  
• Smooth and Optimized Switching  
• Tight Parameter Distribution  
• RoHS Compliant  
TO−247−4LD  
Typical Applications  
• Solar Inverter  
• UPS, ESS  
CASE 340CJ  
MARKING DIAGRAM  
• PFC, Converters  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol Value  
Unit  
V
FGHL75T65  
MQDTL4  
Collector to Emitter Voltage  
V
CES  
V
GES  
650  
Gate to Emitter Voltage  
Transient Gate to Emitter Voltage  
20  
30  
V
Collector Current (Note 1)  
@ T = 25°C  
I
C
80  
75  
A
C
@ T = 100°C  
C
Pulsed Collector Current (Note 2)  
Pulsed Collector Current (Note 3)  
I
300  
300  
A
A
A
LM  
I
CM  
&Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Date Code  
Diode Forward Current (Note 1) @ T  
@ T  
25°C  
100°C  
I
F
80  
75  
C =  
C =  
= 2−Digit Lot Traceability Code  
Pulsed Diode Maximum Forward Current  
I
300  
A
FM  
FGHL75T65MQDTL4 = Specific Device Code  
Maximum Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
375  
188  
W
C
@ T = 100°C  
C
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T ,  
STG  
−55 to  
°C  
°C  
J
ORDERING INFORMATION  
T
+175  
Device  
Package  
Shipping  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes (1/8″ from Case for 5 s)  
T
L
260  
FGHL75T65MQDTL4 TO−247−4LD 30 Units / Tube  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Value limit by bond wire  
2. V = 400 V, V = 15 V, I = 300 A, Inductive Load, 100% tested  
CC  
GE  
C
3. Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2020  
1
Publication Order Number:  
FGHL75T65MQDTL4/D  
August, 2021 − Rev. 1  
 
1234567...9

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