是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | , | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 8.48 |
最大集电极电流 (IC): | 150 A | 集电极-发射极最大电压: | 650 V |
最大降落时间(tf): | 33 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 7.5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | 最高工作温度: | 175 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 375 W | 最大上升时间(tr): | 56 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FGH75T65UPD-F085 | ONSEMI |
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650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT |
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FGH75T65UPD-F155 | ONSEMI |
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650V, 75A,场截止沟道IGBT |
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FGH80N60FD | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2 | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2TU | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FD2TU | ONSEMI |
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IGBT,600V,场截止 |
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FGH80N60FDTU | FAIRCHILD |
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600V, 80A Field Stop IGBT |
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FGH80N60FDTU | ONSEMI |
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IGBT,600V,场截止 |
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FGHL40S65UQ | ONSEMI |
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IGBT,650 V,40A,场截止沟槽 |
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FGHL40T120SWD | ONSEMI |
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1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging |
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