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FGH75T65UPD

更新时间： 2024-02-22 10:12:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 922K
描述
650V, 75A Field Stop Trench IGBT

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FGH75T65UPD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.48
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：650 V
最大降落时间（tf）：33 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 V最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：375 W最大上升时间（tr）：56 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FGH75T65UPD 数据手册

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August 2012  
FGH75T65UPD  
650V, 75A Field Stop Trench IGBT  
Features  
General Description  
o
•
•
•
•
•
•
•
•
Maximum Junction Temperature : T = 175 C  
Using Novel Field Stop Trench IGBT Technology, Fairchild’s  
new series of Field Stop Trench IGBTs offer the optimum perfor-  
mance for Solar Inverter , UPS and Digital Power Generator  
where low conduction and switching losses are essential.  
J
Positive Temperaure Co-efficient for easy parallel operating  
High current capability  
Low saturation voltage: V  
High input impedance  
= 1.65V(Typ.) @ I = 75A  
CE(sat)  
C
Tightened Parameter Distribution  
RoHS compliant  
Applications  
o
Short Circuit Ruggedness > 5us @25 C  
•
Solar Inverter, UPS, Digital Power Generator  
E
C
C
G
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
Ratings  
650  
Units  
V
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
CES  
GES  
20  
V
o
@ T = 25 C  
150  
75  
A
C
I
C
o
Collector Current  
@ T = 100 C  
A
C
I
I
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
225  
75  
A
CM (1)  
F
o
@ T = 25 C  
A
C
o
Diode Forward Current  
@ T = 100 C  
50  
A
C
I
Pulsed Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Short Circuit Withstand Time  
225  
375  
187  
5
A
FM(1)  
o
@ T = 25 C  
W
W
us  
C
P
D
o
@ T = 100 C  
C
o
@ T = 25 C  
SCWT  
C
o
T
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
-55 to +175  
-55 to +175  
C
J
o
T
C
stg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
o
T
300  
C
L
Notes:  
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Typ.  
Max.  
0.40  
0.86  
40  
Units  
o
R
R
R
(IGBT)  
-
-
-
C/W  
θJC  
θJC  
θJA  
o
(Diode)  
C/W  
o
C/W  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGH75T65UPD Rev. C0  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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与FGH75T65UPD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI

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 		650 V、75 A、1.69 V、TO-247场截止 IGBT
FGH75T65UPD-F155 ONSEMI

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FGHL40S65UQ ONSEMI

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 		1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging

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